มอสเฟส Mosfet

Mosfet K4107 TOSHIBA

รายละเอียด Mosfet

รายละเอียด

Features

• Low drain-source ON resistance : RDS (NO) = 0.33 Ω (typ.)

• High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.5 S (typ.)

• Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (VDS = 500V)

• Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10, ID = 1 mA